太赫茲量子級聯激光器系列產品成功制備
中國科學院半導體研究所半導體材料科學重點實驗室、低維半導體材料與器件北京市重點實驗室，在科技部、國家自然科學基金委及中科院等項目的支持下，經過努力探索，制備成功太赫茲量子級聯激光器系列產品。 太赫茲（THz）量子級聯激光器是一種通過在半導體異質結構材料的導帶中形成電子的受激光學躍遷而產生相干極化THz輻射的新型太赫茲光源。半導體材料科學重點實驗室經過多年的基礎研究和技術開發，目前推出系列太赫茲量子級聯激光器產品。頻率覆蓋2.9~3.3 THz，工作溫度10~90 K，功率5~120mW。 太赫茲波介于中紅外和微波之間，是一種安全的具有非離化特征的電磁波。它能夠穿透大多數非導電材料同時又是許多分子光學吸收的特征指紋光譜范圍。它的光子能量低（1 THz對應的能量大約4meV），穿透生物組織時不會產生有害的光電離和破壞，在應用到對生物組織的活體檢驗時，比X光更具優勢。它的波長比微波短，能夠被用于更高分辨率成像。THz波在分......閱讀全文
美DARPA資助軍用級量子激光器研究
據美國趣味科學網站12日報道，美國國防部高級研究計劃局（DARPA）向建造“量子光子二聚體激光器”原型的科學家團隊提供了100萬美元資助。這種激光器利用量子糾纏將光粒子“黏合”在一起，以產生高度聚焦的激光束。這些激光束能夠穿透濃霧等惡劣天氣，有望在軍事應用中展現出優異性能，如在惡劣環境下監視和安全通
美DARPA資助軍用級量子激光器研究
圖片來源：美國趣味科學網站據美國趣味科學網站12日報道，美國國防部高級研究計劃局（DARPA）向建造“量子光子二聚體激光器”原型的科學家團隊提供了100萬美元資助。這種激光器利用量子糾纏將光粒子“黏合”在一起，以產生高度聚焦的激光束。這些激光束能夠穿透濃霧等惡劣天氣，有望在軍事應用中展現出優異性能，
半導體所制備成功太赫茲量子級聯激光器
中國科學院半導體研究所半導體材料科學重點實驗室、低維半導體材料與器件北京市重點實驗室，在科技部、國家自然科學基金委及中科院等項目的支持下，經過努力探索，制備成功太赫茲量子級聯激光器和紅外量子級聯激光器(QCL)系列產品系列產品。 ? 太赫茲(THz)量子級聯激光器是一種通過在半導體異質結
太赫茲量子級聯激光器和其它重要的半導體源
太赫茲(THz)[1．3]技術涉及電磁學、光電子學、半導體物理學、材料科學以及通信等多個學科。它在信息科學、生物學、醫學、天文學、環境科學等領域有重要的應用價值。THz振蕩源則是THz頻段應用的關鍵器件。研制可以產生連續波發射的固態半導體振蕩源是THz技術研究中最前沿的問題之一。基于半導體的THz輻
半導體研究所成功推出系列太赫茲量子級聯激光器產品
近年來，太赫茲技術發展迅速，應用越來越廣泛，是當前的熱門研究領域。由于太赫茲量子級聯激光器是產生太赫茲輻射的重要器件，因此科學家開始鉆研太赫茲量子級聯激光器的研究中，而就在近日，我國太赫茲量子級聯激光器領域有了重大進展，半導體研究所成功研制出系列太赫茲量子級聯激光器產品。 ? ? 中國科學
半導體所設計出大功率量子阱激光器寬譜光源
半導體寬譜光源在傳感、光譜學、生物醫學成像等方面具有廣泛的應用前景，但目前所采用的發光管（LEDs）和超輻射二極管（SLD）因其發射功率低而有所局限，所以研發大功率的寬譜激光器具有重要意義。 最近，中國科學院半導體研究所材料科學重點實驗室潘教青研究員在指導研究生從事大功率激光器研究中，設計并
我國科學家研制出新型銻化物半導體量子阱激光器
銻化物半導體材料在紅外制導、海洋監測、深空探索等領域具有重要應用前景，隨著銻化物多元素復雜低維材料分子束外延技術的不斷進步，國際上銻化物半導體相關的材料與光電器件技術創新發展十分迅速，美、日、德等發達國家競相開展研究，廣為人們矚目。 在國家973計劃、國家自然科學基金委重大項目等支持下，中國
半導體所制成高溫連續激射2微米波段銻化物量子阱激光器
近日，中國科學院半導體研究所納米光電子實驗室與超晶格國家重點實驗室分子束外延(MBE)課題組合作，采用分子束外延技術生長的InGaSb/ AlGaAsSb應變量子阱激光器，實現了高工作溫度(T=80℃)連續激射，激射波長2μm出光功率63.7mW，達到國內領先水平。?
3a級激光器與3b級激光器區別
3a一般指功率小于五毫瓦大于一毫瓦，3b指的是大于五毫瓦小于五百毫瓦，這是通常的說法不過還需要看光斑大小
量子級聯激光器的原理
量子級聯激光器(Quantum Cascade Laser，簡稱QCL)是一種新型半導體激光器。 QCL原理 傳統的半導體激光器，工作原理都是依靠半導體材料中導帶的電子和價帶中的空穴復合而激發光子，其激射波長由半導體材料的禁帶寬度所決定,由于受禁帶寬度的限制，使得半導體激光器
什么是半導體激光器？
半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質而產生受激發射作用的器件。
半導體激光器的特性
半導體激光器能夠給科研或者集成用戶提供性能出色的激光器產品，用于制造zui為的激光器系統。半導體激光器具有高效的光電轉換效率，且通過光束整形可直接應用于激光加工等領域，而光纖激光器由于其的光束質量早已已成為國內外研究的熱門。但半導體激光器將來有沒有可能直接獲得高光束質量的激光，從而“打敗”光纖激
半導體激光器的應用
半導體激光器是成熟較早、進展較快的一類激光器，由于它的波長范圍寬，制作簡單、成本低、易于大量生產，并且由于體積小、重量輕、壽命長，因此，品種發展快，應用范圍廣，目前已超過300種，半導體激光器的最主要應用領域是Gb局域網，850nm波長的半導體激光器適用于)1Gh/。局域網，1300nm -1550
半導體激光器的特性
半導體激光器具有高速調制、功率穩定、線寬窄、體積小、結構緊湊、驅動電路集成化的特點。半導體激光器具有的光束質量和調制性能，廣泛應用于：科學研究，工業儀器開發、OEM系統集成。此外，尾纖半導體激光器、外部光纖耦合模塊、小型半導體泵浦固體激光器可供選擇。 半導體激光器能夠給科研或者集成用戶提供性能
半導體激光器的發展
半導體物理學的迅速發展及隨之而來的晶體管的發明，使科學家們早在50年代就設想發明半導體激光器，60年代早期，很多小組競相進行這方面的研究。在理論分析方面，以莫斯科列別捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最為杰出。在1962年7月召開的固體器件研究國際會議上，美國麻省理工學院林肯實驗室的兩名學者克耶斯
太赫茲技術里程碑
1994年Federico Capasso和同事卓以和等人在貝爾實驗室率先發明量子級聯激光器。這被視為半導體激光領域的一次革命。2000年，我國科學家李愛珍（現任美國科學院院士）的課題組在亞洲率先研制出5至8微米波段半導體量子級聯激光器，從而使中國進入了掌握此類激光器研制技術的國家行列。 量子級聯
半導體激光器與氦氖激光器的比較
導體激光器與氦氖激光器的比較總體來講，紅光半導體激光器與氦氖激光器相比各有其優勢和劣勢。本文對氦氖激光器與半導體激光的優缺點進行一些簡述，希望對不同應用的客戶在選擇激光器時產生些許幫助。激光功率穩定性對比半導體激光器模塊的核心部件為半導體激光管，即LD（Laser Diode），絕大多數半導體激光器
西安光機所孵化企業成功推出千瓦級光纖輸出半導體激光器
依托中國科學院西安光學精密機械研究所高新科技成果孵化成立的高新技術產業公司——西安中科梅曼激光科技有限公司近日成功推出千瓦級光纖輸出半導體激光器，該激光器具有體積小、壽命長、穩定性高等優點，其電光轉換效率近50%，聚焦光斑小于2mm，可適用于金屬熔覆、金屬表面硬化、表面修復等激光材料處理與科學研
半導體激光器的工作原理
工作原理是，通過一定的激勵方式，在半導體物質的能帶(導帶與價帶)之間，或者半導體物質的能帶與雜質(受主或施主)能級之間，實現非平衡載流子的粒子數反轉，當處于粒子數反轉狀態的大量電子與空穴復合時，便產生受激發射作用。半導體激光器的激勵方式主要有三種，即電注入式，光泵式和高能電子束激勵式。電注入式半導體
半導體激光器的發展概況
半導體激光器又稱激光二極管(LD)。進入八十年代，人們吸收了半導體物理發展的最新成果，采用了量子阱(QW)和應變量子阱(SL-QW)等新穎性結構，引進了折射率調制Bragg發射器以及增強調制Bragg發射器最新技術，同時還發展了MBE、MOCVD及CBE等晶體生長技術新工藝，使得新的外延生長工藝能夠
半導體激光器的技術特點
(1) 體積小，重量輕；(2) 驅動功率和電流較低；(3) 效率高、工作壽命長；(4) 可直接電調制；(5) 易于與各種光電子器件實現光電子集成；(6) 與半導體制造技術兼容；可大批量生產。由于這些特點，半導體激光器自問世以來得到了世界各國的廣泛關注與研究。
半導體激光器的常用參數
半導體激光器的常用參數可分為：波長、閾值電流Ith 、工作電流Iop 、垂直發散角θ⊥、水平發散角θ∥、監控電流Im。（1）波長：即激光管工作波長，可作光電開關用的激光管波長有635nm、650nm、670nm、激光二極管690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。（2）閾值電流I
半導體激光器測試方法標準
本標準規定了半導體激光器主要光電參數的測試方法。本標準適用于半導體激光器主要光電參數的測試。半導體激光器組件可參考執行。下載鏈接：https://www.antpedia.com/standard/7060196.html
半導體激光器的特性測量
概述半導體激光器特性的測量可以被分成5大類，如表1所示：表1半導體激光器特性測量的五大類電性能測量光輸出，壓降以及PD的監測電流，還有對這些測量數據的衍生分析。空間性近場和遠場的光強分布。光譜特性通過光譜數據計算光譜寬度和中心波長。光學性能測量光的發散以及波前畸變。動態性能測量噪聲，互調失真，上升時
半導體激光器的產品分類
（1）異質結構激光器（2）條形結構激光器（3）GaAIAs/GaAs激光器（4）InGaAsP/InP激光器（5）可見光激光器（6）遠紅外激光器（7）動態單模激光器（8）分布反饋激光器（9）量子阱激光器（10）表面發射激光器（11）微腔激光器
半導體激光器在半導體激光打標機中的應用
半導體激光器在半導體激光打標機中的應用：半導體激光器因其使用壽命長、激光利用效率高、熱能量比YAG激光器小、體積小、性價比高、用電省等一系列優勢而成為2010年熱賣產品，e網激光生產的國產半導體激光器的出現，加速了以半導體激光器為主要耗材的半導體激光機取代YAG激光打標機市場份額的步伐。
關于氦氖激光器與半導體激光器的對比
波長越短測量精度越高。氦氖激光波長632.8納米，顯然優于半導體激光635納米和650納米。 氦氖激光線寬窄穩定性高在諸多激光器中是首屈一指的，這已經是光學界的共識。 半導體激光器的線寬在各種激光器中是最寬的，可以達到幾十至幾百cm-1，也就是說半導體激光器的單色性是最差的。
半導體激光器的關鍵技術有哪些
半導體激光器的關鍵技術有哪些 半導體激光器是激光器中可以說是較為實用重要的激光器種類，也廣泛應用于印刷業和醫學領域，也因此成為了熱賣產品，加快了以取代激光打標機市場份額的步伐，非常值得人深思。它是電流注入型半導體PN結光發射器件，具有體積小、重量輕、直接調制、寬帶寬，轉換效率高、高可靠和易
量子通信概念再遭熱炒：量子點激光器成核心
上周五，量子通信概念突然受到資金追捧，神州信息、福晶科技、華工科技、三力士、盛洋科技等多只個股齊齊漲停，其中神州信息表現最強，早盤便封住漲停。本周一，上述概念股表現分化，除神州信息繼續漲停外，其余個股普遍高開低走，不過多數個股仍然是上漲的。昨日，該題材再度受到資金追捧，神州信息、福晶科技、華工科
半導體激光器的關鍵技術
半導體激光器是激光器中可以說是較為實用重要的激光器種類，也廣泛應用于印刷業和醫學領域，也因此成為了熱賣產品，加快了以取代激光打標機市場份額的步伐，非常值得人深思。它是電流注入型半導體PN結光發射器件，具有體積小、重量輕、直接調制、寬帶寬，轉換效率高、高可靠和易于集成等特點，產品波長覆蓋范圍從40