薄膜濺射沉積系統共享應用
儀器名稱：薄膜濺射沉積系統儀器編號：16041495產地：中國生產廠家：AJA型號：ATC 2200-V出廠日期：201605購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓108固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090,13366273985,douwz@tsinghua.edu.cn）韓英（010-62782076,18601218109,hanying@mail.tsinghua.edu.cn）分類標簽：微納加工 磁控濺射 材料制備技術指標：本底真空：10e-8 torr；成膜均勻性<3%；同時裝載5個靶位；知名用戶：吳華強、錢鶴、宋成、薛其坤技術團隊：竇維治、韓冰、魏治乾功能特色：可用于制作鐵磁材料薄膜、氧化物薄膜等樣品要求：兼容4英寸、6英寸、8英寸圓片預約說明：實驗室的設備采用網上預約的方式、以先約先用為基本原則取消預......閱讀全文
薄膜濺射沉積系統共享應用
儀器名稱：薄膜濺射沉積系統儀器編號：16041495產地：中國生產廠家：AJA型號：ATC 2200-V出廠日期：201605購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓108固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278109
LAB18薄膜沉積系統共享應用
儀器名稱：LAB18薄膜沉積系統儀器編號：12028282產地：中國生產廠家：Kurt型號：KJLC出廠日期：201204購置日期：201212所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090
LAB18薄膜沉積系統共享
儀器名稱：LAB18薄膜沉積系統儀器編號：12028282產地：中國生產廠家：Kurt型號：KJLC出廠日期：201204購置日期：201212所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090
全自動磁控濺射系統共享應用
儀器名稱：全自動磁控濺射系統儀器編號：12024341產地：中國生產廠家：金盛微納科技有限公司型號：MSP-150B出廠日期：201112購置日期：201211所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：劉建設（,,zh
銅上濺射沉積鈾薄膜AES研究
在俄歇電子能譜儀超高真空室內,采用離子束濺射沉積方法在多晶Cu上沉積了鈾薄膜,采用俄歇電子能譜技術(AES)研究鈾薄膜的生長方式,鈾、銅的相互作用及退火引起U膜成分結構變化。沉積初期觀察到鈾與銅發生相互作用,隨著鈾薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇躍遷峰強度值變化說明鈾薄膜為層狀+島狀生長。退
多靶位磁控濺射系統共享應用
儀器名稱：多靶位磁控濺射系統儀器編號：21012328產地：美國生產廠家：科特·萊斯科公司型號：PVD75出廠日期：購置日期：2021-07-12所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：62781090固定手機：13661079620固定email：
BENEQ－原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：BENEQ 原子層沉積系統儀器編號：09016504產地：芬蘭生產廠家：BENEQ型號：TFS200-106出廠日期：200810購置日期：200910所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹秉軍（010
PICOSUN－原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：PICOSUN 原子層沉積系統儀器編號：16041497產地：中國生產廠家：PICOSUN型號：R200 Advanced出廠日期：201709購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓109固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹
磁控濺射鍍膜機共享應用
儀器名稱：磁控濺射鍍膜機儀器編號：13001328產地：中國生產廠家：創世威納科技公司型號：MSP-3200T出廠日期：201301購置日期：201301所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：一樓平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：魏治乾（010-62781090,19
TRION化學氣相沉積系統共享應用
儀器名稱：化學氣相沉積系統儀器編號：13003987產地：美國生產廠家：TRION型號：PHANTOMIII出廠日期：201205購置日期：201303所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278
清華大學儀器共享平臺Kurt－LAB18薄膜沉積系統
儀器名稱：LAB18薄膜沉積系統儀器編號：12028282產地：中國生產廠家：Kurt型號：KJLC出廠日期：201204購置日期：201212所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-62781090
國產濺射臺共享
儀器名稱：國產濺射臺儀器編號：02011815產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：JS-3出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：魏治乾（010-62781090
Picosun－Oy真空互聯原子層沉積系統共享應用
儀器名稱：真空互聯-原子層沉積系統儀器編號：21029113產地：芬蘭生產廠家：Picosun Oy型號：R-200 Advanced出廠日期：購置日期：2021-11-25所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>真空互聯放置地點：微電子學研究所南平房實驗室108號固定電話：01062784044固定
金盛微全自動磁控濺射系統共享
儀器名稱：全自動磁控濺射系統儀器編號：12024341產地：中國生產廠家：金盛微納科技有限公司型號：MSP-150B出廠日期：201112購置日期：201211所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：劉建設（,,zh
PICOSUN－原子層沉積系統共享
儀器名稱：PICOSUN 原子層沉積系統儀器編號：16041497產地：中國生產廠家：PICOSUN型號：R200 Advanced出廠日期：201709購置日期：201612所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一樓109固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹
化學氣相沉積系統共享
儀器名稱：化學氣相沉積系統儀器編號：13003987產地：美國生產廠家：TRION型號：PHANTOMIII出廠日期：201205購置日期：201303所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278
AJA－真空互聯磁控濺射鍍膜機共享應用
儀器名稱：真空互聯-磁控濺射鍍膜機儀器編號：20004165產地：美國生產廠家：AJA型號：ATC-2200-UHV SPUTTER SYSTEM出廠日期：購置日期：2020-06-05項目名稱計價單位費用類別價格備注材料濺射元/小時自主上機機時費460.0Au等貴金屬加收100元/10nm所屬單位
TOHO－薄膜應力計共享應用
儀器名稱：薄膜應力計儀器編號：12030409產地：日本生產廠家：TOHO型號：FLX-2320S出廠日期：201212購置日期：201212樣品要求：樣品大小可為4、5、6、8英寸。預約說明：實驗室的設備采用網上預約的方式、以先約先用為基本原則取消預約需提前2個小時通過網上取消預約所屬單位：集成電
其他薄膜沉積設備的薄膜沉積技術分類
薄膜沉積技術可以分為化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）。對于CVD工藝，這包括原子層沉積（ALD）和等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）。PVD沉積技術包括濺射，電子束和熱蒸發。CVD工藝包括使用等離子體將源材料與一種或多種揮發性前驅物混合以化學相互作用并使源材料分解。該工藝使用較
磁控濺射鍍膜機共享
儀器名稱：磁控濺射鍍膜機儀器編號：13001328產地：中國生產廠家：創世威納科技公司型號：MSP-3200T出廠日期：201301購置日期：201301所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：一樓平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：魏治乾（010-62781090,19
中科院自產濺射臺共享
儀器名稱：國產濺射臺儀器編號：02011815產地：中國生產廠家：中科院微電子中心自制型號：JS-3出廠日期：200107購置日期：200210所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：魏治乾（010-62781090
清洗系統共享應用
儀器名稱：清洗系統儀器編號：04009244產地：臺灣生產廠家：弘塑科技有限公司型號：SolventStrip出廠日期：200312購置日期：200410所屬單位：物理系>納米中心>納米中心加工平臺放置地點：納米樓超凈間固定電話：固定手機：固定email：聯系人：馬偉濤（010-62796022,1
系統測試nikon共享應用
儀器名稱：系統測試nikon儀器編號：A15000007產地：生產廠家：型號：出廠日期：購置日期：所屬單位：醫研院>生物醫學測試中心>尼康影像中心放置地點：醫學科學樓C153固定電話：固定手機：固定email：聯系人：曹慧珍（010-62798727,15210512148,caohuizhen@m
清華大學儀器共享平臺Ultratech－原子層沉積系統
儀器名稱：原子層沉積系統儀器編號：17016605產地：美國生產廠家：Ultratech型號：Savannah S100出廠日期：購置日期：2017-06-25所屬單位：電子系>納米光電子綜合測試平臺放置地點：羅姆樓B1-304室固定電話：62796594固定手機：固定email：haosun@ts
清華大學儀器共享平臺金盛微納－全自動磁控濺射系統
儀器名稱：全自動磁控濺射系統儀器編號：12024341產地：中國生產廠家：金盛微納科技有限公司型號：MSP-150B出廠日期：201112購置日期：201211所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：劉建設（,,zh
原子層沉積系統（ALD）的應用
原子層沉積技術由于其沉積參數的高度可控型（厚度、成份和結構） 原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），最初稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也稱為原子層化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Depo
清華大學儀器共享平臺TRION－化學氣相沉積系統
儀器名稱：化學氣相沉積系統儀器編號：13003987產地：美國生產廠家：TRION型號：PHANTOMIII出廠日期：201205購置日期：201303所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：固定手機：固定email：聯系人：竇維治（010-6278
磁致濺射儀層生長型薄膜的形成
這種生長類型的特點是，蒸發原子首先在基片表面以單原子層的形式均勻地翟蓋一層，然后再在三維方向上生長更多的層。這種生長方式多數發生在基片原子與蒸發原子間的結合能接近于蒸發原子間的結合能的情況下。層生長型的過程大致如下:入射到基片表面的原子，經過表面擴散并與其它原子碰撞后形成二維的核，二維核捕捉周圍
磁致濺射儀核生長型薄膜的形成
這種類型形成過程的特點是，到達基片上的原子首先凝聚成核，后續飛來的原子不斷集聚在核的附近使核在三維方向不斷成長，最終形成薄膜。大部分薄膜的形成過程都屬于這種類型。核生長型的薄膜其生長過程可以分為如下四個階段。 (l)成核階段碰撞到基片上的原子，其中一部分與基片原子交換的能量很少，仍具有相當大的
清華大學儀器共享平臺科特·萊斯科－多靶位磁控濺射系統
儀器名稱：多靶位磁控濺射系統儀器編號：21012328產地：美國生產廠家：科特·萊斯科公司型號：PVD75出廠日期：購置日期：2021-07-12所屬單位：集成電路學院>微納加工平臺>薄膜工藝放置地點：微電子所新所一層微納平臺固定電話：62781090固定手機：13661079620固定email：