我國學者提出傾斜臺階面制備多層菱方氮化硼單晶新方法
圖 （a）厚層菱方氮化硼單晶臺階控制生長原理示意圖；（b）厚層單晶鐵電擦寫功能演示 在國家自然科學基金項目（批準號：52025023、51991344）等資助下，中國科學院物理研究所白雪冬研究員、北京大學劉開輝教授與中國科學院物理研究所王理副研究員等人合作，在多層菱方氮化硼單晶制備研究方面取得進展，相關研究成果以“傾斜邊緣外延鐵電單晶菱方氮化硼（Bevel-edge epitaxy of ferroelectric rhombohedral boron nitride single crystal）”為題，于2024年5月1日發表在《自然》（Nature）上。論文鏈接：https://www.nature.com/articles/s41586-024-07286-3。 后摩爾時代，二維層狀材料因具有極限尺度的柵控能力和系列新奇的量子性質，為超高集成度的電子學器件開發提供了材料基礎。作為二維材料家族的重要成員，菱方氮化硼具備......閱讀全文
我國學者提出傾斜臺階面制備多層菱方氮化硼單晶新方法
圖 （a）厚層菱方氮化硼單晶臺階控制生長原理示意圖；（b）厚層單晶鐵電擦寫功能演示 在國家自然科學基金項目（批準號：52025023、51991344）等資助下，中國科學院物理研究所白雪冬研究員、北京大學劉開輝教授與中國科學院物理研究所王理副研究員等人合作，在多層菱方氮化硼單晶制備研究方面取得進展
科學家提出傾斜臺階面外延生長菱方氮化硼單晶方法
常見的六方相氮化硼（hBN）因化學穩定、導熱性能好以及表面無懸掛鍵原子級平整等特點，被視為理想的寬帶隙二維介質材料。菱方相氮化硼（rBN）可以保持hBN較多優異性質，并具有非中心對稱的ABC堆垛結構，因而具備本征的滑移鐵電性和非線性光學性質。rBN是極具應用潛力的功能材料，可以為變革性技術應用如存算
氮化硼表面制備石墨烯單晶獲突破
中科院上海微系統所信息功能材料國家重點實驗室唐述杰等研究人員，通過引入氣態催化劑的方法，在國際上首次實現石墨烯單晶在六角氮化硼表面的高取向快速生長。3月11日，相關研究論文發表于《自然—通訊》。 該團隊在前期掌握石墨烯形核控制、確定單晶和襯底的取向關系的基礎上，以乙炔為碳源，創新性地引入硅烷作
利用對稱性破缺襯底外延二維六方氮化硼單晶
為開辟硅基電子器件之外的新途徑，基于量子材料的新器件研究成為前沿熱點。作為量子材料的重要分支，二維量子材料厚度只有原子級且量子效應顯著，大面積、高質量的二維單晶制備是實現二維器件規模化應用的核心關鍵，然而晶格的非中心反演對稱性給二維單晶生長帶來了極大挑戰。 在量子調控與量子信息重點專項資助下，
中科院上海微系統所制備出六方氮化硼單晶疇
1月25日，記者從中科院上海微系統所獲悉，該所盧光遠和吳天如等科研人員采用化學氣相沉積（CVD）方法，成功在銅鎳合金襯底上制備出單層高質量六方氮化硼（h-BN）單晶疇，單晶面積較之前文獻報道高出約兩個數量級。專家認為，該項研究進展為研發晶圓級h-BN、h-BN/石墨烯異質結和超結構奠定了重要實驗
單晶半導體材料的制備方法
具體的制備方法有：①從熔體中拉制單晶：用與熔體相同材料的小單晶體作為籽晶，當籽晶與熔體接觸并向上提拉時，熔體依靠表面張力也被拉出液面，同時結晶出與籽晶具有相同晶體取向的單晶體。②區域熔煉法制備單晶：用一籽晶與半導體錠條在頭部熔接，隨著熔區的移動則結晶部分即成單晶。③從溶液中再結晶。④從汽相中生長單晶
單晶半導體材料的制備方法
為了消除多晶材料中各小晶體之間的晶粒間界對半導體材料特性參量的巨大影響，半導體器件的基體材料一般采用單晶體。單晶制備一般可分大體積單晶(即體單晶)制備和薄膜單晶的制備。體單晶的產量高，利用率高，比較經濟。但很多的器件結構要求厚度為微米量級的薄層單晶。由于制備薄層單晶所需的溫度較低，往往可以得到質量較
科學家在疊層低維單晶材料制造方面取得重要進展
記者從華南師范大學獲悉，我國科學家在疊層低維單晶材料制造方面取得重要進展，實現鎳襯底上菱方相氮化硼疊層單晶的可控生長。相關研究5月2日發表于《自然》。六方氮化硼是極具潛力的下一代低維介電絕緣材料。菱方（ABC）堆垛疊層在保有六方氮化硼優異物理化學性質的同時，具有本征的滑移鐵電性和非線性光學性質。大尺
基于量子材料的新器件分米級單晶薄膜的制備新方法
為開辟硅基電子器件之外的新途徑，基于量子材料的新器件研究成為前沿熱點。作為量子材料的重要分支，二維量子材料厚度只有原子級且量子效應顯著，大面積、高質量的二維單晶制備是實現二維器件規模化應用的核心關鍵，然而晶格的非中心反演對稱性給二維單晶生長帶來了極大挑戰。 在量子調控與量子信息重點專項資助下，
單晶硅的單晶硅制備與仿真
主要有兩種方法：直拉法（Cz法）、區熔法（FZ法）；1）直拉法其優點是晶體被拉出液面不與器壁接觸，不受容器限制，因此晶體中應力小，同時又能防止器壁沾污或接觸所可能引起的雜亂晶核而形成多晶。此法制成的單晶完整性好，直徑和長度都可以很大，生長速率也高。所用坩堝必須由不污染熔體的材料制成。因此，一些化學性
利用深紫外激光PEEM/LEEM對晶圓六方氮化硼結構表征研究
近日，中國科學院大連化學物理研究所催化基礎國家重點實驗室研究員傅強團隊與臺積電（TSMC）Lain-Jong Li團隊、臺灣交通大學Wen-Hao Chang團隊、美國萊斯大學B. I. Yakobson團隊、北京大學教授張艷峰團隊合作，在2英寸晶圓襯底上成功外延生長單晶六方氮化硼（hBN）單層
上海微系統所石墨烯/六方氮化硼平面異質結研究獲進展
中國科學院上海微系統與信息技術研究所石墨烯/六方氮化硼平面異質結研究取得新進展，研究員謝曉明領導的研究團隊采用化學氣相沉積（CVD）方法成功制備出單原子層高質量石墨烯/六方氮化硼平面異質結，并將其成功應用于WSe2/MoS2 二維光電探測器件。研究論文Synthesis of High-Qual
化學所高質量石墨烯和氮化硼的制備及性能研究獲進展
高質量二維原子晶體的可控制備是基礎研究和應用開發的前提，目前是迫切需要優先研究的重大基礎科學問題之一。可控制備的最終目的是獲得大面積、單層和單晶結構的二維原子晶體。 在中國科學院、科技部和國家自然科學基金委的大力支持下，中國科學院化學研究所有機固體重點實驗室的相關科研人員最近在石
重慶研究院單晶二維材料GeSe研究獲新進展
近日，中國科學院重慶綠色智能技術研究院量子信息技術中心團隊在以GeSe為代表的IVAVIB大面積單原子層材料制備和能帶結構確定，及其器件測試分析研究中取得最新進展。 目前已有近百種二維材料被人們發現，包括第四主族單質、第三和第五主族構成的二元化合物、金屬硫族化合物、復合氧化物等。這些發現不僅打
利用化學氣相沉積方法制備二維單層金屬有機骨架單晶
二維金屬有機骨架（MOF）具有超高的比表面積和更多暴露活性位點，在分子傳感、氣體分離、催化和超導體等領域展現出應用潛力。制備具有原子厚度的高質量、大尺寸MOF晶體，特別是單層單晶，是MOF性質研究和應用的關鍵。然而，由于MOF塊體晶體中片層本征的脆性和層間強的相互作用，二維MOF的制備存在結晶性
我所研制出二維單晶鈷酸鋰儲鋰新材料
原文地址：http://www.dicp.cas.cn/xwdt/kyjz/202401/t20240123_6965838.html近日，我所催化基礎國家重點實驗室二維材料化學與能源應用研究組（508組）吳忠帥研究員團隊在構筑兼具高容量、高倍率的二維單晶鈷酸鋰研究方面取得新進展，研制出一種超薄二維
單晶X射線衍射的單晶衍射儀法
此法用射線計數儀直接記錄射線的強度。單晶衍射儀有線性衍射儀、四圓衍射儀和韋森堡衍射儀等，其中以四圓衍射儀(圖4)，(見彩圖)最為通用。所謂四圓是指晶體和計數器藉以調節方位的四個圓，分別稱為φ圓、圓、w圓和2θ圓。φ圓是安裝晶體的測角頭轉動的圓；圓是支撐測角頭的垂直圓，測角頭可在此圓上運動；w圓是使圓
單晶X射線衍射的單晶衍射儀法
此法用射線計數儀直接記錄射線的強度。單晶衍射儀有線性衍射儀、四圓衍射儀和韋森堡衍射儀等，其中以四圓衍射儀(圖4)，(見彩圖)最為通用。所謂四圓是指晶體和計數器藉以調節方位的四個圓，分別稱為φ圓、圓、w圓和2θ圓。φ圓是安裝晶體的測角頭轉動的圓；圓是支撐測角頭的垂直圓，測角頭可在此圓上運動；w圓是使圓
近物所離子聯合注入單晶硅制備SOI材料研究獲進展
中科院近代物理研究所科研人員將320 kV高壓平臺提供的氦離子和氧離子聯合注入單晶硅，研究氦離子注入所導致的氦泡和納米空腔與氧原子的相互作用機理，獲得進展。 實驗中，科研人員首先向單晶硅中注入30 keV、3×1016/cm2的氦離子，然后將樣品切成兩塊：一塊做退火處理，退火溫
臺灣研究團隊在尖端晶體材料開發上取得突破
由臺灣積體電路制造股份有限公司（臺積電）與新竹交通大學合作組成的研究團隊17日在臺北宣布，在共同進行單原子層氮化硼的合成技術上取得重大突破，成功開發出大面積晶圓尺寸的單晶氮化硼成長技術。該成果將于今年3月在國際知名學術期刊《自然》發表。 研究團隊負責人之一、新竹交通大學教授張文豪介紹，為了提升
低維單晶材料制造研究獲重要進展
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/10/510607.shtm
科學家發現碳家族單晶新材料
碳是我們這個星球上最重要的元素之一，碳原子具有極輕的原子質量和極強的共價鍵。碳是元素周期表中最多樣化的元素之一，它可以與自身或者幾乎所有的元素以多種雜化方式成鍵，獲得結構豐富的碳網絡，很多碳分子具有獨特的π電子共軛體系，并展現出優異的力、熱、光、電等屬性。? 碳材料一直被認為是一種未來材料，甚至有
首個有序大孔—微孔MOF單晶材料問世
記者從華南理工大學獲悉，該校李映偉團隊、美國得克薩斯大學圣安東尼奧分校陳邦林、沙特阿卜杜拉國王科技大學韓宇和西班牙科爾多瓦大學Rafael Luque共同研制出世界首個有序大孔—微孔MOF單晶材料。相關研究近日在線發表于《科學》雜志。 一直以來，制備出高度有序、大孔、單晶的穩定多孔材料，是一個
我國實現米級單晶石墨烯的制備
石墨烯是典型的二維輕元素量子材料體系，具有優越的量子特性。科學界在石墨烯體系中觀察到了許多量子現象和量子效應，石墨烯已經成為凝聚態物理研究領域的重要量子體系，在未來量子信息、量子計算和量子通訊等領域具有廣泛的應用前景。如何獲得大尺寸單晶石墨烯是石墨烯研究領域的熱點和難點，是實現石墨烯工業化應用的
CCD單晶衍射儀
CCD單晶衍射儀是一種用于物理學領域的分析儀器，于2017年1月5日啟用。 技術指標 1.EOSCCD探測器； 2.增強型Mo光源和增強型Cu光源； 3.4圓kappa測角儀。 主要功能 晶體結構或分子結構的常規測定（包括晶體的點陣常數，對稱性，分子的三維立體結構，鍵長、鍵角、構型、
單晶射線衍射儀
單晶射線衍射儀是一種用于化學領域的分析儀器，于2004年1月1日啟用。 技術指標 額定功率:50kv 40mA。CCD探測器：62mm 4K CCD芯片，Mo 光源增益>170電子/X光子； X-射線發生器：功率3kW，Mo靶陶瓷X射線光管； 三軸（ω,2θ,φ）測角儀:φ360o旋轉≤0.
光學單晶的種類
鹵化物單晶鹵化物單晶分為氟化物單晶，溴、氯、碘的化合物單晶，鉈的鹵化物單晶。氟化物單晶在紫外、可見和紅外波段光譜區均有較高的透過率、低折射率及低光反射系數；缺點是膨脹系數大、熱導率小、抗沖擊性能差。溴、氯、碘的化合物單晶能透過很寬的紅外波段，其熔點低，易于制成大尺寸單晶；缺點是易潮解、硬度低、力學性
科學家成功研制出超薄二維單晶鈷酸鋰儲鋰新材料
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/1/516669.shtm
碳家族單晶新材料，特殊結構創造新價值
碳是我們這個星球上最重要的元素之一，碳原子具有極輕的原子質量和極強的共價鍵。碳是元素周期表中最多樣化的元素之一，它可以與自身或者幾乎所有的元素以多種雜化方式成鍵，獲得結構豐富的碳網絡，很多碳分子具有獨特的π電子共軛體系，并展現出優異的力、熱、光、電等屬性。? 碳材料一直被認為是一種未來材料，甚
單晶體金屬材料要求性能有指標
金屬材料的性能一般分為工藝性能和使用性能兩類。所謂工藝性能是指機械零件在加工制造過程中，金屬材料在所定的冷、熱加工條件下表現出來的性能。金屬材料工藝性能的好壞，決定了它在制造過程中加工成形的適應能力。由于加工條件不同，要求的工藝性能也就不同，如鑄造性能、可焊性、可鍛性、熱處理性能、切削加工性等。所謂