美開發厚度為單原子直徑的半導體薄膜
美國北卡州立大學研究人員22日表示，他們開發出制造高質量原子量級半導體薄膜(薄膜厚度僅為單原子直徑)的新技術。材料科學和工程助理教授曹林友(音譯)說，新技術能將現有半導體技術的規模縮小到原子量級，包括激光器、發光二極管和計算機芯片等。 研究人員研究的材料是硫化鉬，它是一種價格低廉的半導體材料，電子和光學特性與目前半導體工業界所用的材料相似。然而，硫化鉬又與其他半導體材料有所不同，因為它能以單原子分層生長形成單層薄膜，同時薄膜不會失去原有的材料特性。 在新技術中，研究人員將硫粉和氯化鉬粉放置于爐內，并將溫度逐步升高到850攝氏度，此時兩種粉末出現蒸發(汽化)并發生化學反應形成硫化鉬。繼續保持高溫，硫化鉬能沉積到基片上，形成薄薄的硫化鉬膜。 曹林友表示，他們成功的關鍵是尋找到了新的硫化鉬生長機理，即自限制生長，通過控制高溫爐中分壓和蒸汽壓來精確地控制硫化鉬層的厚度。 分壓代表懸浮在空氣中的原子或分子聚集成......閱讀全文
二硫化鉬薄膜可大幅提高海水淡化效率
美國伊利諾伊州立大學研究人員在《自然·通訊》雜志上發表論文稱，他們發現二硫化鉬高能材料可更高效地去除海水中的鹽分，通過計算機模擬各種薄膜的海水淡化效率并進行對比后發現，二硫化鉬薄膜的效率最高，比石墨烯膜還要高出70%。 據物理學家組織網報道，這種材料只有一個納米厚，布滿了納米孔，能夠滲漏大量
二硫化鉬薄膜可大幅提高海水淡化效率
美國伊利諾伊州立大學研究人員在《自然·通訊》雜志上發表論文稱，他們發現二硫化鉬高能材料可更高效地去除海水中的鹽分，通過計算機模擬各種薄膜的海水淡化效率并進行對比后發現，二硫化鉬薄膜的效率最高，比石墨烯膜還要高出70%。 據物理學家組織網報道，這種材料只有一個納米厚，布滿了納米孔，能夠滲漏大
拉伸二硫化鉬晶體造出能隙可變半導體
這張放大1萬倍的圖片顯示，一個電子器件上雕刻出了高低不平的“山峰”和“山谷”，鋪在上面的二硫化鉬經過拉伸后，形成了一種擁有可變能隙的人工晶體。 近日，美國斯坦福大學一科研團隊首次通過拉伸二硫化鉬的晶體點陣，“扯”出能隙可以變化的半導體。利用這種半導體，科學家有望制造出能夠吸收更多光能的太陽能
蘭州化物所二硫化鉬/類金剛石碳復合薄膜研究取得進展
隨著航空航天、先進核能等領域的迅速發展，其機械運動部件服役工況也愈加多變、復雜、苛刻，對表面潤滑與防護薄膜材料抗輻照、多特性等方面提出愈來愈高的要求，致使傳統過渡金屬二硫化物薄膜（TMD）及類金剛石碳膜（DLC）等單一組分的潤滑薄膜材料面臨嚴峻挑戰。 中國科學院蘭州化學物理研究所固體潤滑國家重
原子氧輻照環境下二硫化鉬潤滑薄膜失效機理研究獲進展
低地球軌道距地面200至700 Km，是對地觀測衛星、氣象衛星、空間站等航天器運行區域，在此區間內大多數空間飛行器運動部件選用固體潤滑材料，其中二硫化鉬（MoS2）使用最為廣泛。在低地球軌道內，大氣殘余氣體中氧分子在紫外光作用下發生光致解離，產生原子態氧并長時間在軌穩定存在，原子氧與軌道內高速飛
美開發厚度為單原子直徑的半導體薄膜
美國北卡州立大學研究人員22日表示，他們開發出制造高質量原子量級半導體薄膜(薄膜厚度僅為單原子直徑)的新技術。材料科學和工程助理教授曹林友(音譯)說，新技術能將現有半導體技術的規模縮小到原子量級，包括激光器、發光二極管和計算機芯片等。 研究人員研究的材料是硫化鉬，它是一種價格低廉的半導體材
二硫化鉬薄膜可大幅提高海水淡化效率－比石墨烯膜高出70％
美國伊利諾伊州立大學研究人員在《自然·通訊》雜志上發表論文稱，他們發現二硫化鉬高能材料可更高效地去除海水中的鹽分，通過計算機模擬各種薄膜的海水淡化效率并進行對比后發現，二硫化鉬薄膜的效率最高，比石墨烯膜還要高出70%。 據物理學家組織網報道，這種材料只有一個納米厚，布滿了納米孔，能夠滲漏大量的
半導體所等證實單層二硫化鉬谷圓偏振光吸收性質
《自然—通訊》（Nature Communications）最近發表了北京大學國際量子材料科學中心(馮濟研究員和王恩哥教授為通訊作者)與中國科學院物理研究所和半導體研究所合作的文章Valley-selective circular dichroism of monolayer m
超薄二硫化鉬強力挑戰石墨烯
英國南安普敦大學的一組研究人員開發出一種石墨烯的替代材料。除了與石墨烯一樣具備極佳的導電性能和超強的硬度外，該材料還具備發光特性，目前已經能夠實現超過1000平方毫米的大面積生產，有望成為石墨烯有力的挑戰者。相關論文發表在最新一期《納米尺度》雜志上。 石墨烯，這種由碳原子組成的單層材料，由于具
物理所實現多層MoS2外延晶圓推動二維半導體的器件應用
以二硫化鉬為代表的二維半導體材料，因其極限的物理厚度、極佳的柔性/透明性，是解決當前晶體管微縮瓶頸及構筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半導體芯片的一類新材料。近年來，國際上已在單層二硫化鉬的晶圓制備及大面積器件構筑方面不斷突破，在晶圓質量和器件性能方面逐漸逼近極限。例如，中國科學院物理研究所
微型二硫化鉬致動器“力大無窮”
美國研究人員開發出一種微型裝置，可拉動自身165倍的重量。這種能像肌肉一樣工作、將電能轉化為機械能的新型致動器具有廣闊的應用前景，未來有望在機電系統和機器人系統中大展拳腳。相關研究成果8月30日發表在《自然》雜志上。 這個超級微型“大力士”叫做“反串行連接生物形態驅動裝置”，由美國羅格斯大學新
鋰電池材料二硫化鉬的介紹
二硫化鉬（或moly）是由鉬和硫組成的無機化合物。其化學式為MoS?。該化合物被歸類為過渡金屬二硫化合物。它是一種銀黑色固體，以礦物輝鉬礦的形式存在，輝鉬礦是鉬的主要礦石。MoS?相對不活躍。它不受稀酸和氧的影響。在外觀和感覺上，二硫化鉬類似于石墨。因其低摩擦和穩健性，它被廣泛用作干潤滑劑。大部
鋰電材料二硫化鉬的機械性能
二硫化鉬由于其層狀結構和低摩擦系數，作為潤滑材料表現優異。當剪切應力施加到材料上時，層間滑動耗散能量。在不同的環境中已經進行了大量的工作來表征二硫化鉬的摩擦系數和剪切強度。二硫化鉬的剪切強度隨著摩擦系數的增加而增加。這種特性被稱為超級潤滑性。在環境條件下，二硫化鉬的摩擦系數確定為0.150，相應
關于鋰電材料二硫化鉬防御的作用
二硫化鉬在某些情況下用作添加劑潤滑脂和干膜潤滑劑以提高壓力和溫度公差，并在基底磨損或遷移后對預期的應用點提供二次潤滑。用二硫化鉬潤滑脂強化的潤滑脂有許多好處：非常適合難以到達的區域、減少磨損和磨損、降低運營成本、持久耐用、操作員友好型、環保意識、適用接頭和活動部件、防銹、出色的表面滲透性。
關于二硫化鉬的優缺點的介紹
1、徹底地消滅了漏油，干凈利索，大大的促進了文明生產。 2、能節省大量的潤滑油脂。 3、改善運行技術狀況，延長檢修周期，減輕了維修工人的勞動強度，節約勞動力。 4、由于二硫化鉬的摩擦系數低，摩擦設備間產生的摩擦阻力小，可以節約電力消耗，根據兄弟單位的測定可節約電力為12% 5、能減小機械
科技突破！具有千個晶體管的二維半導體問世
據最新一期《自然-電子學》報道，瑞士洛桑聯邦理工學院研究人員提出了一種基于二硫化鉬的內存處理器，專用于數據處理中的基本運算之一：向量矩陣乘法。這種操作在數字信號處理和人工智能模型的實現中無處不在，其效率的提高可為整個信息通信行業節約大量的能源。 新處理器將1024個元件組合到一個一平方厘米的芯
具有千個晶體管的二維半導體問世！重新定義數據處理的能源效率
據最新一期《自然·電子學》報道，瑞士洛桑聯邦理工學院研究人員提出了一種基于二硫化鉬的內存處理器，專用于數據處理中的基本運算之一：向量矩陣乘法。這種操作在數字信號處理和人工智能模型的實現中無處不在，其效率的提高可為整個信息通信行業節約大量的能源。 新處理器將1024個元件組合到一個一平方厘米的芯
單層二硫化鉬低功耗柔性集成電路研究
柔性電子是新興技術，在信息、能源、生物醫療等領域具有廣闊的應用前景。其中，柔性集成電路可用于便攜式、可穿戴、可植入式的電子產品中，對器件的低功耗提出了極高的技術需求。相對于傳統半導體材料，單層二硫化鉬二維半導體具有原子級厚度、合適的帶隙且兼具剛性（面內）和柔性（面外），是備受矚目的柔性集成電路溝
科學家突破單層二硫化鉬8英寸晶圓外延技術
近日，我國科學家在科技部重點研發計劃、國家自然科學基金委等項目的支持下，突破單層二硫化鉬8英寸晶圓外延技術。相關成果發表于《先進材料》（Advanced Materials）。由松山湖材料實驗室、中國科學院物理研究所、北京大學、華南師范大學組成的聯合研究團隊在松山湖材料實驗室研究員張廣宇的指導下，基
研究發展出單層二硫化鉬低功耗柔性集成電路
柔性電子是新興技術，在信息、能源、生物醫療等領域具有廣闊的應用前景。其中，柔性集成電路可用于便攜式、可穿戴、可植入式的電子產品中，對器件的低功耗提出了極高的技術需求。相對于傳統半導體材料，單層二硫化鉬二維半導體具有原子級厚度、合適的帶隙且兼具剛性（面內）和柔性（面外），是備受矚目的柔性集成電路溝
英國牛津儀器公司開發二硫化鉬生長工藝
據報道，英國牛津儀器公司利用其納米實驗室納米級生長系統，啟動了二硫化鉬生長工藝研究。 單層硫化鉬是一種直接帶隙半導體材料，在光電領域具有廣泛的應用，如發光二級光、光伏電池、光探測器、生物傳感器等，而多層二硫化鉬是一種非直接帶隙半導體，有望用于未來的數字電子技術。 牛津儀器公司表示，該公司已經
解決二硫化鉬身子骨單薄的問題
二硫化鉬的超薄結構強度高、重量輕、柔韌性好，這些特性使其適用于很多應用領域，如高性能撓性電子。不過此超薄半導體材料與光的相互作用微弱，限制了這一材料在發光和光吸收應用領域的發展。 “問題是這些材料只有單層厚，” Koray Aydin說，他是麥考密克工程學院（McCormick School
二硫化鉬超高壓下具超導性
記者日前從中科院合肥物質科學研究院獲悉，該院固體物理研究所與強磁場科學中心聯合科研團隊，在超高壓條件下首次在一種新的材料——二硫化鉬中觀測到了超導現象。相關研究成果被選為編輯推薦文章，日前刊登在國際物理類頂尖期刊《物理評論快報》上。 科研人員在自主搭建的高壓綜合測試平臺上，利用金剛石對頂砧產生
簡述鋰電材料二硫化鉬的化學反應
二硫化鉬在空氣中是穩定的，只能被侵蝕性試劑侵蝕。加熱時與氧氣發生反應，形成三氧化鉬: 2 MoS2+ 7 O2→ 2 MoO3+ 4 SO2 氯氣在高溫下與二硫化鉬反應，形成五氯化鉬: 2 MoS2+ 7 Cl2→ 2 MoCl5+ 2 S2Cl2
鋰電池材料二硫化鉬的制備原理
輝鉬精礦用鹽酸和氫氟酸在直接蒸汽加熱下，反復攪拌處理，用熱水洗滌、離心、干燥、粉碎，可制得。鉬酸銨溶液中通入硫化氫氣體，生成硫代鉬酸銨。加鹽酸轉變為三硫化鉬沉淀，后離心、洗滌、干燥、粉碎。最后加熱至950 °C脫硫可制得。
簡述鋰電池材料二硫化鉬的用途
二硫化鉬是重要的固體潤滑劑，特別適用于高溫高壓下。它還有抗磁性，可用作線性光電導體和顯示P型或N型導電性能的半導體，具有整流和換能的作用。二硫化鉬還可用作復雜烴類脫氫的催化劑。 它也被譽為“高級固體潤滑油王”。二硫化鉬是由天然鉬精礦粉經化學提純后改變分子結構而制成的固體粉劑。本品色黑稍帶銀灰色
關于鋰電池材料二硫化鉬的介紹
二硫化鉬是一種無機物，化學式為MoS2，是輝鉬礦的主要成分。黑色固體粉末，有金屬光澤。熔點2375℃，密度4.80g/cm3（14℃），莫氏硬度1.0～1.5。 輝鉬礦的主要成分。黑色固體粉末，有金屬光澤。化學式MoS2，熔點2375℃，密度4.80g/cm3（14℃），莫氏硬度1.0～1.5
電子級二維半導體與柔性電子器件研究新進展
在半導體器件不斷小型化和柔性化的趨勢下，以二硫化鉬（MoS2）等過渡金屬硫屬化合物（TMDC）為代表的二維半導體材料顯示出獨特優勢，具有超薄厚度（單原子層或少原子層）和優異的電學、光學、機械性能及多自由度可調控性，使其在未來更輕、更薄、更快、更靈敏的電子學器件中具有優勢。然而，現階段以器件應用為
用二硫化鉬鐵電場效應實現高響應度光電探測
近日，西安交通大學電信學部電子學院教授任巍、牛剛團隊利用基于二硫化鉬溝道和外延鐵電HZO薄膜柵介質的光電晶體管實現了高響應度光電探測，相關研究成果發表在Advanced Functional Materials上。該研究利用優化的具有背柵結構和肖特基對650nm波長光電響應進行了實驗驗證并實現良好的
方便地制備單層二硫化鉬/二硫化鎢量子點作為細胞成...
方便地制備單層二硫化鉬/二硫化鎢量子點作為細胞成像熒光探針和高效的析氫反應催化劑具有片層狀結構的過渡金屬二硫化物近年來被發現許多奇異的性質并引起了人們極大的研究興趣。通常情況下烷基鋰插層剝離的方法是化學法玻璃二硫化鉬/二硫化鎢納米片層中最常見也是剝離效果最好的方法，它是通過烷基鋰的插層進入二硫化鉬/