量子工程非平衡摻雜實現高效p型超寬禁帶氮化物材料
近日，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員黎大兵團隊和中科院半導體研究所研究員鄧惠雄合作，報道了一種通過量子工程非平衡摻雜實現高效率p型超寬禁帶氮化物材料的方法。該研究發現，將GaN量子點引入高Al組分AlGaN材料體系中，可以提升材料局部價帶頂能級，使得Mg受主激活能大幅度降低，從而獲得低電阻、高空穴濃度的AlGaN材料，進而制備高性能深紫外LED。 AlGaN材料具有直接可調寬帶隙，是制備UVC光源的理想材料。然而，高Al組分AlGaN材料p型摻雜效率極低，成為實現高性能深紫外光源的主要障礙之一。其中，激活能高主要源于受主強局域化導致其成為深能級。這一問題在寬禁帶半導體中普遍存在，是物理限制問題。發展新型摻雜方法，克服摻雜的物理限制，降低受主激活能，是提升高Al組分AlGaN材料p型摻雜效率的根本，也是推動深紫外光源效率提升的關鍵。 該團隊提出了一種量子工程非平衡摻雜方法，通過在AlGaN材料體系中引入GaN......閱讀全文
量子工程非平衡摻雜實現高效p型超寬禁帶氮化物材料
近日，中國科學院長春光學精密機械與物理研究所研究員黎大兵團隊和中科院半導體研究所研究員鄧惠雄合作，報道了一種通過量子工程非平衡摻雜實現高效率p型超寬禁帶氮化物材料的方法。該研究發現，將GaN量子點引入高Al組分AlGaN材料體系中，可以提升材料局部價帶頂能級，使得Mg受主激活能大幅度降低，從而獲
Nature－Communications：智能應力調控功率器件
【引言】 智能功率器件在基礎電源控制到先進電源拓撲網絡中均有廣泛應用。傳統的響應外部機械信號的電力系統通常由集成一系列應力傳感器、A/D或D/A轉換器、強電/弱電隔離器、功率器件等元件，在CPU控制下實現反饋的長鏈式控制系統。直接響應外部機械信號的智能功率器件有利于簡化系統復雜度、提升可靠性及
GaN基半導體異質結構中的應力相關效應
GaN基半導體作為光電子材料領域極為重要的材料,其異質結構在器件開發領域得到十分廣泛的應用,目前,影響其未來發展的有幾大關鍵性難題,本質上都與應力場有關,深受大家關注且亟待解決。本論文通過實驗研究和計算模擬,全面深入地考察了GaN基半導體異質結構中應力場的相關效應,分析其復雜性質、闡明其物理機制,進
蘇州納米所GaN/Si功率開關器件研究獲得重要突破
隨著能效標準不斷提高，基于硅（Si）材料的功率器件改進空間越來越小；人們將目光投向新材料領域，以期實現根本改進，從而引發新一代功率器件技術的革命性突破。眾多新材料中，基于氮化鎵（GaN）的復合材料最引人關注。GaN基功率器件具有擊穿電壓高、電流密度大、開關速度快、工作溫度高等優點
氫化物氣相外延（HVPE）
牛總部設在美國馬里蘭州銀泉的TDI是世界領先的發展生產新型化合物半導體，如GaN，AlN，AlGaN ，InN和InGaN的氫化物氣相外延( HVPE )工藝和技術的公司。 這些材料被用于各種應用，最主要的是固態照明，短波長光電子和射頻功率電子。 TDI生產的氮化物模板
氮化鎵半導體材料光電器件應用介紹
GaN材料系列是一種理想的短波長發光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從紅色到紫外的光譜范圍。自從1991年日本研制出同質結GaN藍色 LED之后，InGaN/AlGaN雙異質結超亮度藍色LED、InGaN單量子阱GaNLED相繼問世。目前，Zcd和6cd單量子阱GaN藍色和綠色 LED已進入大批
多模態神經影像學在癲癇網絡中的研究進展
癲癇（epilepsy）是大腦神經元反復異常放電導致的病理性腦功能障礙性疾病，全球大約有6500萬癲癇患者，其中有20%~40%為藥物難治性癲癇。運用多模態的研究方法發現，癲癇的發生和傳播是由于致癇皮質的癲癇網絡異常而不是單純的致癇灶的病變所引起，同時抑制或破壞致癇皮質的癲癇網絡將為手術治療癲癇
上海硅酸鹽所等在新型光伏材料研究方面取得進展
太陽能電池因具有替代現有化石能源而解決能源環境問題的前景越來越得到全世界的一致認可和推動。然而，目前太陽能電池的光電轉換效率依然不高。影響光電轉換效率的因素主要有三個：一是光的吸收;二是光生電子空穴對的分離與傳輸;三是電荷的收集。光伏材料是太陽能電池的關鍵部分，因此，提升太陽能電池的光電轉換效率
氮化鎵半導體材料新型電子器件應用
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前，隨著 MBE技術在GaN材料應用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破，成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）、異質結場效應晶體管(HFET)、調制摻雜場效
蘇州納米所高靈敏度太赫茲探測器研究獲進展
近日，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、中科院納米器件與應用重點實驗室秦華團隊公布了能夠在液氮溫度下靈敏探測太赫茲波黑體輻射的氮化鎵基高電子遷移率晶體管探測器研究結果，首次直接驗證了天線耦合的場效應晶體管可用于非相干太赫茲波的靈敏探測。結果發表于《應用物理快報》[Appl. Phys. L
深紫外LED醫療研發成新熱點
深紫外光是指波長100納米到280納米之間的光波，在殺菌消毒、醫療、生化檢測、高密度信息儲存和保密通訊等領域有重大應用價值。與汞燈紫外光源相比，基于氮化鋁鎵(AlGaN)材料的深紫外發光二極管(LED)具備堅固、節能、壽命長、無汞環保等優點，正逐步滲入汞燈的傳統應用領域。同時，深紫外LED的獨特
佐治亞理工學院Russell－Dupuis教授訪問蘇州納米所
11月9日上午，美國國家工程院院士、佐治亞理工學院Steve W. Chaddick講席教授Russell Dupuis訪問中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所，并作題為The History and Current Status of Metalorganic Chemical Vapo
高靈敏度太赫茲探測器研究獲進展
近日，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、中科院納米器件與應用重點實驗室秦華團隊公布了能夠在液氮溫度下靈敏探測太赫茲波黑體輻射的氮化鎵基高電子遷移率晶體管探測器研究結果，首次直接驗證了天線耦合的場效應晶體管可用于非相干太赫茲波的靈敏探測。結果發表于《應用物理快報》[]，并被?APL?編輯選為20
揭示多發性硬化癥個體認知損傷發生的分子機制
近日，來自凱斯勒基金會的研究者通過研究，揭示了多發性硬化癥(MS)個體認知疲勞發生的分子機制，相關研究刊登于國際雜志PLoS ONE上，這項研究首次使用神經影像技術來調查研究個體的認知疲勞發生的過程。 認知疲勞源于腦力勞動，這項研究中，研究者利用三種神經影像技術來揭示和MS個體認知疲勞
氮化鎵半導體材料的應用前景
對于GaN材料，長期以來由于襯底單晶沒有解決，異質外延缺陷密度相當高，但是器件水平已可實用化。1994年日亞化學所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd藍光（450nmLED），綠光12cd(520nmLED);日本1998年制定一個采用寬禁帶氮化物材料開發LED的 7年規劃，其目標是
氮化鎵半導體材料的優點與缺陷
①禁帶寬度大（3.4eV），熱導率高（1.3W/cm-K），則工作溫度高，擊穿電壓高，抗輻射能力強；②導帶底在Γ點，而且與導帶的其他能谷之間能量差大，則不易產生谷間散射，從而能得到很高的強場漂移速度（電子漂移速度不易飽和）；③GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷
研究闡明類泛素蛋白NEDD8經蛋白酶體降解的分子機制
10月25日，國際學術期刊The Journal of Biological Chemistry發表了中科院上海生科院生物化學與細胞生物學研究所胡紅雨課題組的研究論文NEDD8 Ultimate Buster-1 Long (NUB1L) Protein Promotes Transfe
國內首個室溫太赫茲自混頻探測器問世
中科院蘇州納米所成功研制出在室溫下工作的太赫茲自混頻探測器，從而填補了該類探測器的國內空白。 據了解，作為人類尚未大規模使用的一段電磁頻譜資源，太赫茲波有著極為豐富的電磁波與物質間的相互作用效應，不僅在基礎研究領域，而且在安檢成像、雷達、通信、天文、大氣觀測和生物醫學等眾多技術領域有著廣
硅上的多通道三柵極III氮化物高電子遷移率晶體管
目前瑞士和中國的研究人員共同制造出具有五個III族氮化物半導體溝道能級的三柵極金屬氧化物半導體高電子遷移率晶體管，從而提高了靜電控制和驅動電流。瑞士洛桑聯邦理工學院（EPFL）和中國的Enkris半導體公司所制造的材料結構由5個平行層組成，包括10nm氮化鋁鎵（AlGaN）阻擋層，1nm A
牛津儀器TDI收購FOX－集團的知識產權
TDI，牛津儀器的全資子公司，在氫化物氣相外延（HVPE）新型化合物半導體，如GaN、AlN、AlGaN、InN、InGaN等方面處于世界領先地位，剛與FOX集團簽訂了許可協議。這項協議是收購FOX集團知識產權，牛津儀器可以直接提供LED的硬件和流程和P型摻雜物，除此之外還提供III-V族氮化物
微電子所等研制出國際先進的氮化鎵增強型MISHEMT器件
近日，中國科學院微電子研究所氮化鎵（GaN）功率電子器件研究團隊與香港科技大學教授陳敬團隊，西安電子科技大學教授、中科院院士郝躍團隊合作，在GaN增強型MIS-HEMT器件研制方面取得新進展，成功研制出具有國際先進水平的高頻增強型GaN MIS-HEMT器件。 第三代半導體材料氮化鎵具有高禁帶
物理所發現范德華異質結間的強耦合超快電荷傳輸
近年來，以石墨烯為代表、靠層間范德華力結合的二維材料已經成長為一個非常大的家族。這些范德華材料呈現出從絕緣體、半導體、金屬，到超導體等各不相同的電子性質。以二硫化鉬(MoS22）和二硫化鎢(WS22）為代表的過渡族金屬硫族化合物，因其合適的能帶結構和光學性質，在光電子器件等用途中有著很好的應用前
硅襯底InGaN基半導體激光器研究方面取得進展
硅是半導體行業最常見的材料，基于硅材料的電子芯片被廣泛應用于日常生活的各種設備中，從智能手機、電腦到汽車、飛機、衛星等。隨著技術的發展，研究者發現通過傳統的電氣互聯來進行芯片與系統之間的通信已經難以滿足電子器件之間更快的通信速度以及更復雜系統的要求。為解決這一問題，“光”被認為是一種非常有潛力的
蘇州納米所等在高靈敏度石墨烯太赫茲探測器研究獲進展
中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、中國科學院納米器件與應用重點實驗室秦華團隊與中國電子科技集團有限公司第十三研究所專用集成電路國家級重點實驗室合作，成功獲得了高靈敏度石墨烯（Graphene）太赫茲探測器，靈敏度達到同類石墨烯探測器的最好水平，該結果近期發表在碳材料雜志Carbon（116
超高靈敏度石墨烯太赫茲探測器研究獲突破
? ? ? ? ? ? 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所、中國科學院納米器件與應用重點實驗室秦華團隊與中國電子科技集團有限公司第十三研究所專用集成電路國家級重點實驗室合作，成功獲得了高靈敏度石墨烯（Graphene）太赫茲探測器，靈敏度達到同類石墨烯探測器的最好水平，該結果近期發表在碳材料雜志
氮化鎵/碳化硅技術真的能主導我們的生活方式？（二）
最近接連有消息報道，在美國和歐洲，氮化鎵和碳化硅技術除了在軍用雷達領域和航天工程領域得到了應用，在電力電子器件市場也有越來越廣泛的滲透。氮化鎵/碳化硅技術與傳統的硅技術相比，有哪些獨特優勢？ 大家最近都在談論摩爾定律什么時候終結？硅作為半導體的主要材料在摩爾定律的規律下已經走過了50多
?－紫外激光器的技術分類
固體紫外激光器固體紫外激光器按泵浦方式分為氙燈泵浦紫外激光器、氪燈泵浦紫外激光器以及新型的激光二極管泵浦全固態激光器。固體紫外激光器光電轉換效率一般較低，而LD全固態紫外激光器則具有效率高、重頻高、性能可靠、體積小、光束質量較好及功率穩定等特點。由于紫外光子能量大，難以通過外激勵源激勵產生一定高功率
紫外激光器的主要種類
固體紫外激光器固體紫外激光器按泵浦方式分為氙燈泵浦紫外激光器、氪燈泵浦紫外激光器以及新型的激光二極管泵浦全固態激光器。固體紫外激光器光電轉換效率一般較低，而LD全固態紫外激光器則具有效率高、重頻高、性能可靠、體積小、光束質量較好及功率穩定等特點。由于紫外光子能量大，難以通過外激勵源激勵產生一定高功率
日盲鎂鋅氧單晶薄膜的電性調控研制獲進展
ZnO基光電子學及透明電子學是近年來信息和材料科學領域的研究熱點。理論上通過Mg、Be等元素的摻雜，ZnO基合金的禁帶寬度能在很寬波段范圍內進行調諧，如通過調整MgxZn1-xO中的Mg組分，其帶隙可在3.37~7.8eV（368~159nm）范圍內調控，從而可覆蓋280~220nm日盲波段，成
超2000萬，該地一高校發布設備采購需求
為便于供應商及時了解政府采購信息，根據《江蘇省財政廳關于做好政府采購意向公開工作的通知》等有關規定，現將江蘇大學（本部）2024年5月(第3批)政府采購意向公告如下：編號項目名稱采購需求概況采購預算(萬元)預計采購月份是否專門面向中小企業采購是否采購節能產品、環境標志產品1江蘇大學建筑消防設施維修保