發光學及應用國家重點實驗室（發光室）大功率半導體激光器及應用團隊在高光束質量大功率垂直腔面發射激光關鍵技術研究上取得重大突破，研究成果獲2015年度吉林省技術發明一等獎。
垂直腔面發射激光器是2002年開始逐漸發展起來的新一代半導體激光器，與常規邊發射半導體激光器相比具有光束質量好，易于二維集成等優點，在激光通信、激光顯示、工業加工、國防應用等領域有廣泛的應用前景，成為國際前沿研究熱點。
發光室大功率半導體激光器及應用團隊在國防基礎科研、總裝支撐、國家基金重點、吉林省科技廳重點等多個項目的支持，重點開展大功率、高光束質量垂直腔面發射激光(VCSEL)研制工作，從材料結構設計、器件結構設計等方面提出一系列創新，在高功率激光研究方面已獲授權發明ZL6項，發表文章13篇，并創造了多項國際指標，取得以下主要結果：
提出用于VCSEL的周期增益量子阱結構、非對稱波導等新設計，研制出單管脈沖功率達92W創紀錄輸出；垂直腔面發射激光面陣功率達到123W，比國際記錄提高了13%；集成面陣模塊輸出功率達到210W。相關成果被《Laser Focus World》及《Semiconductor Today》等多次專文評論報道。所研制的高光束質量大功率VCSEL在固體激光/光纖激光泵浦、光纖放大器泵浦、激光測距等領域得到了應用，并被國內多家用戶用于固體泵浦、激光引信、生物熒光探測等領域，為推動相關技術發展奠定了扎實基礎。