SCE等離子刻蝕機支持以下四種平面等離子體處理模式：
直接模式——基片可以直接放置在電極托架或是底座托架上，以獲得最大的平面刻蝕效果。
定向模式——需要非等向性刻蝕（anisotropic etching）的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式——基片可以放置在不帶電托架上，以便取得微小的等離子體效果。
定制模式——當平面刻蝕配置不過理想時，特制的電極配置可以提供。
