GaN 功率芯片主要以2 個流派在發展，一個是eMode 常開型，納微代表的是另一個分支——eMode 常關型。相比傳統的常關型的GaN 功率器件，納微又進一步做了集成，包括驅動、保護和控制的集成。
GaN 功率芯片集成的優勢如下。
1）傳統的Si 器件參數不夠優異，開關速率、開關頻率都受到極大限制，通常基于Si 器件的電源系統設置都是在60 ～ 100 kHz 的開關頻率范圍，導致的結果是：因為開關頻率較低，其儲能元件電感電容的尺寸比較大，電源的功率密度相對較低，業界通常的功率密度小于0.5 W/cc。
2）分立式GaN 因為受限于驅動的線路的復雜性，如果沒有把驅動集成到功率器件里，受限于外部器件的布局、布線參數的影響，開關頻率沒有發揮到GaN本來應有的高度。所以，相比普通的Si 器件大概只有二三倍開關頻率的提升，可想而知功率密度的提升也是比較有限的。相比傳統的電源適配器或電源解決方案，盡管友商或同行可以設計出較高的功率密度，但是遠沒達到1W/cc 的數字。而納微的功率GaN 器件由于集成了控制、驅動和保護，不依賴于外部集成參數，開關頻率可以充分釋放。例如在電源適配器方面，目前納微主流的開關頻率在300、400 kHz，模塊電源方面已有客戶設計到了MHz。目前很多納微的客戶方案已遠遠大于1 W/cc。
納微的主流產品系列是GaNFastTM 系列，是把驅動控制和基本保護集成在功率器件里。GaNSenseTM 技術在GaNFastTM 的基礎上又做了性能的提升，包括無損電流采樣、待機功耗節省，還包括更多保護功能的集成。