SiC（碳化硅）商業化已經20 多年了，GaN 商業化還不到5 年時間。因此人們對GaN 未來完整的市場布局并不是很清楚。
SiC 的材料特性是能夠耐高壓、耐熱，但是缺點是頻率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。現在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅長高頻，效率可以做得非常好。
例如，特斯拉等車廠使用SiC 做主驅等，因為SiC更適合做大功率、更高端的應用。
目前GaN 在消費領域做得非常好，可以完全替代Si 器件；而SiC 下探到消費領域非常難。現在是GaN 不斷往上走，電壓、電流、功率等級不斷往上探，以納微為例，未來的布局有服務器、數據中心、電動汽車等。而且GaN 往上探沒有限制，例如納微在2021 年底或2022 年就會推出小于20 mΩ 的器件，意味著可以做到單體3.3 ～ 5 kW 的功率，未來做模塊，例如3 個die（晶片）或者更多die 做橋壁、并聯等，很快功率等級會從10 kW 到20 kW、30 kW……據《電子產品世界》所知，已有GaN 模塊供應商推出了電動汽車的充電樁方案、主驅等；納微也有此方面的規劃。從器件本身特征看，與Si 和SiC 器件相比，GaN每次開關能量的損耗可以更低。所以GaN 相比SiC 更節能。