當一束高能電子轟擊物質表面時,被激發的區域將產生工次電子、俄歇電子、背散射G2100-1X1SF1電子、透射電子和特征X射線,以及在可見、紫外、紅外區域產生的電磁輻射。利用高能電子和物質的+H△作用,能夠獲取被測樣罰|本身的各種物埋、化學性質的信啟、。捫描電子顯微鏡1E是根據高能電子和物質相互作用時不同信息的產生機理,采用不同的信息檢測器采集信啟、,得到物質的微觀形貌特征及物質化學成分信息。電子顯微鏡可配置各種功能不同的探測器組件,以滿足特殊的應用需求。掃描電子顯微鏡檢查就是基于以上工作原理對電子元器件芯片表面進行檢測的。
1.術語和定義
l)阻擋/附著金屬層
阻擋/附著金屬層是指多層金屬化系統中位于下層的金屬層,其作用是提供與硅及二氧化硅表面間的良好(機械)附著接觸;或作為阻擋層,阻止金屬向某些區域的不希望的擴散,例如,防止鋁向接觸窗口內擴散。
2)橫截面
橫截面是指與電流流動方向垂直并擴展至金屬條整個條寬范圍的一個設想平面,如圖4-119所示。對于不平整的表面上與電流方向不垂直的金屬條(如位于鈍化臺階、跨接區、鳥嘴等之上),為計算橫截面積減少的情況,應將其投影至橫截平面。
注1 采用橫截面的概念有雙重目的:為橫截面積的汁算提供一種方便而統一的方法;用于保證不平整表面上的金屬層橫截面積的減少不超過50%(適用時為30%)。
2 橫截面積如圖中虛線所示。
3 所有不與電流方向垂直的鈍化層臺階必須投影至勹電流方向垂直的橫截面,計算橫截面積。
3)破壞性SEM
破壞性SEM是指采用了特定的設備參數和技術,收范圍的輻射損傷或污染。
4)方向邊
使被檢查的半導體結構受到超出可接 典型的方向邊(見圖4-12o)為矩形接觸窗口的幾條邊。在該窗口上淀積有金屬層。器件工作時,電流將流入、穿過或流出接觸窗口。應指出,接觸的幾何形和/或需考慮的位置會發生變化。如果這樣的話,應相應地修正方向邊的概念。