首先我們得先明確一下在化學中電離能的概念，1mol氣態基態原子失去1mol電子所得到1mol氣態基態正離子所需要的能量稱為該原子的第一電離能。能帶這一名詞出自討論金屬化學鍵的能帶理論中，即它是以分子軌道理論為基礎將一系列能量簡并的原子軌道重新組合成另一組能量參差的新軌道即能帶。也就是每一種原子軌道都可以形成一個能帶（例如1S能帶，2S能帶等）。就硅而言它的能帶寬度的測定不是從滿帶躍遷到導帶，其中存在兩中情況，一種是從導帶躍遷到空帶，因為我們知道半導體的導電是由空穴導電和電子導電而組合的混合導電方式，但是硅有些特例，它的3P亞層中有兩個軌道的電子是半充滿的，所以這樣就會肯定硅是有導帶的，那么我們可以硬性的規定3Px軌道能帶為滿帶，3Py和3Pz能帶是導帶，這兩個導帶彼此不相干擾，而它與4S空帶之間的距離就是硅原子的禁帶寬度，這是一種猜想。另外一種3P亞層的3個能量簡并的軌道直接形成一個完整的能帶，但是這種能帶的形成卻不是連續的即3P能帶中有一個禁帶，其實這種目的就是為了得到一個沒有電子的3P空帶，這樣一來禁帶的測定又變成滿帶和空帶之間的距離了，而且形成兩種能帶的軌道的主量子數是相同的，即都是3P軌道，因為主量子數是相同的所以軌道之間的能量差別應該非常小，而且又符合半導體的導電規律所以后一種猜想正確的概率很高。說了這么多我想你應該明白了，禁帶寬度的測定是滿帶和其能量最為接近的空帶之間的能量差值，其組成各能帶的原子軌道的主量子數相同或是僅差1這個電子仍然屬于物質本身的，然而電離能是講電子電離出原子系統，可以這樣認為是將某一電子電離到主量子數為無窮大的軌道中，其主量子數的差值也是無窮大的，并且重點是它已經不屬于原子系統了。其實這兩個概念的差別還是十分大的，電離能針對的是原子，表征的是原子的性質，而禁帶寬度卻是描述固體的，從微觀上看他們之間還有一些聯系的但是差別還是很大，所以個人認為這是兩個不同領域的問題在一起討論著實沒有必要。